هیت سینک‌ها یا رادیاتورها جهت دفع حرارت از قطعات و چیپ های الکترونیکی نظیر پردازنده‌ها، قطعات سوئیچینگ، رگلاتورها، آی سی‌ها، رله‌های حالت‌جامد و انواع نیمه‌هادی‌ها به کار برده می‌شوند. همان‌طور که از اسم آن‌ها (رادیاتور) مشخص است، یکی از روش‌های اصلی دفع حرارت توسط آن‌ها تشعشع است. مطابق با رابطه استفان-بولتزمن ، میزان تشعشع به اختلاف درجه حرارت جسم ساطع کننده و جسم دریافت‌کننده (معمولاً محیط)، میزان سطح و ضریب تشعشع سطح وابسته است. درجه حرارت محیط یا میزان حرارت تولیدشده توسط چیپ یا پردازنده معمولاً تحت کنترل نیست، بنابراین سعی می‌شود با افزایش سطح و افزایش ضریب تشعشع سطح، میزان دفع حرارت از طریق تشعشع افزایش یابد. افزایش سطح از طریق طراحی هندسی انجام می‌شود اما افزایش ضریب تشعشع معمولاً به‌سادگی امکان‌پذیر نیست.
هیت سینک‌ها در صنعت معمولاً از جنس آلومینیوم و به روش اکستروژن تهیه می‌شوند. ضریب تشعشع آلومینیوم(α) پایین و چیزی در حدود 04/0 تا 06/0 است درحالی‌که پوشش‌های اکسید آلومینیوم نانوساختار ضریب تشعشعی حدود 9/0 دارند. بنابراین اصلاح سطح رادیاتورهای آلومینیومی با پوشش‌های نانوساختار اکسیدی می‌تواند ضریب انتقال حرارت آن‌ها از طریق تشعشع را به‌طور چشمگیری بهبود بخشد، اما این مهم‌ترین مزیت این پوشش‌ها نیست. پوشش‌های نانوساختار اکسیدی درحالی‌که هادی حرارت هستند، عایق الکتریسیته محسوب می‌شوند بنابراین قطعات الکترونیکی می‌توانند بدون نگرانی از اتصال به زمینه، دفع حرارت شوند. پوشش‌های نانوساختار اکسیدی مزایای دیگری نیز دارند که در ادامه بیان شده است.

1- هيت سینک عایق الکتریکی و هادی حرارتی است. بنابراین می‌تواند به‌صورت مشترک برای چیپ‌هایی که پایه متصل به قسمت دفع حرارت دارند استفاده شود.
2- احتمال برق‌گرفتگی، اتصال به دیگر قطعات، اتصال به برد، جرقه و آتش‌سوزی و … به‌شدت کاهش می‌یابد.
3- ضریب تشعشع به‌صورت محسوسی افزایش‌ یافته و انتقال حرارت از این طریق افزایش می‌یابد.
4- سطح هیت سینک سخت و بسیار مقاوم به خوردگی می‌گردد که هرچند در مورد رادیاتورهای هوا خنک مزیت مهمی محسوب نمی‌شود اما در مورد رادیاتورهای آب‌خنک (یا هر سیال دیگر) یک ارجحیت کلیدی به‌ حساب می‌آید.